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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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MRFE6VP61K25HSR5 PDF資料
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- 制造商:FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]
- PDF文件大?。?57.08 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共23頁
- 描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRFE6VP61K25HSR5技術(shù)規(guī)格
- 制造商:NXP
- 產(chǎn)品種類:射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
- RoHS:是
- 晶體管極性:N-Channel
- 技術(shù):Si
- Id-連續(xù)漏極電流:10 uA
- Vds-漏源極擊穿電壓:133 V
- 增益:24 dB
- 輸出功率:1.25 kW
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:NI-1230S
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 配置:Single
- 工作頻率:1.8 MHz, 600 MHz
- 系列:MRFE6VP61K25H
- 類型:RF Power MOSFET
- 商標(biāo):NXP / Freescale
- Pd-功率耗散:1.333 kW
- 產(chǎn)品類型:RF MOSFET Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:50
- 子類別:MOSFETs
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
- 零件號別名:935314409178
- 單位重量:8.488 g
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