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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

    0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516

    PSMN3R0-60BS.118

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  • 深圳市星宇佳科技有限公司

    6年

    0755-82717977-60313332931905謝先生深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1004號(hào)南光大廈51011015940

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  • NXP/恩智浦　
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  • 深圳市星宇佳科技有限公司

    9年

    0755-8252219513332931905小柯深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北南光大廈510星宇佳科技11012272

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  • 深圳誠(chéng)思涵科技有限公司

    10年

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

    9年

    0755-8257355217302670049陳敏深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)A座13樓11012046

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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

    0755-8320414118118747668許小姐深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽 格科技園4棟東5層50211017049

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PSMN3R0-60ES,127 PDF資料
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  • 制造商：Nexperia
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  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共13頁(yè)
  • 描述：MOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET
PSMN3R0-60ES,127技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Nexperia
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:I2PAK-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:83.4 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:130 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:306 W
  • 配置:Single
  • 封裝:Tube
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Nexperia
  • 下降時(shí)間:22 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:26 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:77 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:31 ns
  • 單位重量:2.387 g
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