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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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RQJ0204XGDQATL-E PDF資料
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- 制造商:RENESAS[Renesas Technology Corp]
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- PDF文件頁數:共7頁
- 描述:Silicon P Channel MOS FET Power Switching
RQJ0301HGDQS#H3技術規(guī)格
- 包裝:4UPAK
- 渠道類型:P
- 通道模式:Enhancement
- 最大漏源電壓:30 V
- 最大連續(xù)漏極電流:5.2 A
- RDS -于:48@10V mOhm
- 最大門源電壓:10 V
- 典型導通延遲時間:22 ns
- 典型上升時間:41 ns
- 典型關閉延遲時間:50 ns
- 典型下降時間:6.8 ns
- 工作溫度:-55 to 150 °C
- 安裝:Surface Mount
- 標準包裝:Tape & Reel
- associated:D00837CW8510
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