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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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RQJ0204XGDQATL-E PDF資料
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- 制造商:RENESAS[Renesas Technology Corp]
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- 描述:Silicon P Channel MOS FET Power Switching
RQJ0301HGDQS#H3技術(shù)規(guī)格
- 包裝:4UPAK
- 渠道類型:P
- 通道模式:Enhancement
- 最大漏源電壓:30 V
- 最大連續(xù)漏極電流:5.2 A
- RDS -于:48@10V mOhm
- 最大門源電壓:10 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:22 ns
- 典型上升時(shí)間:41 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns
- 典型下降時(shí)間:6.8 ns
- 工作溫度:-55 to 150 °C
- 安裝:Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:Tape & Reel
- associated:D00837CW8510
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