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    BSZ120P3NS3EG

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  • 深圳市浩睿澤電子科技有限公司

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    1985477335219854773352羅先生深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號星河世紀A棟2003F19一級代理分銷,只做原裝11015339

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • INFINEON-英飛凌 
  • DFN-8.貼片 
  • ▉▉:2年內(nèi) 
  • ▉▉:57500 
  • ▉▉¥10一有問必回一特殊渠道一有長期訂貨一備貨HK倉庫 

  • 深圳市振鈺科技有限公司

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    0755-8527079913926543930廖先生深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅荔路3013號上步工業(yè)區(qū)23棟上航大廈410-I11015548

  • BSZ123N08NS3
  • Infineon(英飛凌) 
  • 原廠原裝 
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  • 原裝現(xiàn)貨支持實單 

  • 深圳市金華微盛電子有限公司

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  • 深圳市明烽威電子有限公司

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  • BSZ123N08NS3 G
  • INFINEON 
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BSZ123N08NS3 G PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?75.72 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ123N08NS3 G技術規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術:Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TSDSON-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:80 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:40 A
  • Rds On-漏源導通電阻:10.3 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:25 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:66 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標名:OptiMOS
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 長度:3.3 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:3.3 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 正向跨導 - 最小值:17 S
  • 下降時間:4 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:18 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關閉延遲時間:19 ns
  • 典型接通延遲時間:12 ns
  • 零件號別名:BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N8NS3GXT SP000443632
  • 單位重量:100 mg
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