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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSZ130N03LSG PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?39.91 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:OptiMOSa?¢3 Power-MOSFET
BSZ130N03LSG技術規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 商標:Infineon Technologies
- Id-連續(xù)漏極電流:35 A
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Rds On-漏源導通電阻:13 mOhms
- 晶體管極性:N-Channel
- Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:2.1 W
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TSDSON-8
- 封裝:Reel
- 通道模式:Enhancement
- 配置:Single Quad Drain Triple Source
- 下降時間:2.4 ns
- 最小工作溫度:- 55 C
- 上升時間:2.6 ns
- 系列:OptiMOS 3
- 工廠包裝數(shù)量:5000
- 商標名:OptiMOS
- 典型關閉延遲時間:13 ns
- 典型接通延遲時間:2.9 ns
- 零件號別名:BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGXT SP000278810
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