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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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IPP65R190CFD PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?536.87 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共20頁
- 描述:650V CoolMOS C6 CFD POWER Transistor
IPP65R190CFD技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-220-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
- Id-連續(xù)漏極電流:17.5 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
- Qg-柵極電荷:68 nC
- Pd-功率耗散:151 W
- 配置:Single
- 商標(biāo)名:CoolMOS
- 封裝:Tube
- 高度:15.65 mm
- 長(zhǎng)度:10 mm
- 系列:CoolMOS CFD2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:4.4 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:6.4 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:8.4 ns
- 工廠包裝數(shù)量:500
- 子類別:MOSFETs
- 零件號(hào)別名:IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160
- 單位重量:6 g
購買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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