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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IRFH5110TRPBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大?。?05.51 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共8頁(yè)
- 描述：HEXFET Power MOSFET
IRFH5110TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：PG-TDSON-8
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta），63A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.4 毫歐 @ 37A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：72nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3152pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），114W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 系列：HEXFET?
- FET類型：N 溝道
- DraintoSourceVoltage(Vdss)：100V
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：11A（Ta），63A（Tc）
- 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 100μA
- 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：72nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3152pF @ 25V
- 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：12.4 毫歐 @ 37A，10V
- 封裝形式Package：PQFN
- 極性Polarity：N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：10V
- 連續(xù)漏極電流ID：11A
- 供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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