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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ZXMP3F30FHTA PDF資料
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- 制造商：ZETEX[Zetex Semiconductors]
- PDF文件大?。?29.4 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：30V SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3F30FHTA技術(shù)規(guī)格
- 包裝：3SOT-23
- 渠道類型：P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大連續(xù)漏極電流：3.4 A
- RDS -于：80@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：1.3 ns
- 典型上升時(shí)間：2.6 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：49 ns
- 典型下降時(shí)間：22 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
- 單位包：3000
- 最小起訂量：3000
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 封裝：Tape & Reel (TR)
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.8A (Ta)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
- 封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23
- 其他名稱：ZXMP3F30FHTADI
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 2.5A, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：950mW
- 漏極至源極電壓（Vdss）：30V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：370pF @ 15V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：7nC @ 10V
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- RoHS：RoHS Compliant
- 連續(xù)漏極電流：3.4 A
- 柵源電壓（最大值）：?20 V
- 功率耗散：1.4 W
- 漏源導(dǎo)通電阻：0.08 ohm
- 工作溫度范圍：-55C to 150C
- 包裝類型：SOT-23
- 引腳數(shù)：3
- 極性：P
- 類型：Power MOSFET
- 元件數(shù)：1
- 工作溫度分類：Military
- 漏源導(dǎo)通電壓：30 V
- 弧度硬化：No
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