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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRFH5053TRPBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小：258.9 Kbytes
- PDF文件頁數：共9頁
- 描述：3 Phase Boost Converter Applications
IRFH5053TRPBF技術規(guī)格
- 封裝/外殼：PQFN 5X6 8L
- FET 類型：N 溝道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9.3A（Ta），46A（Tc）
- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：36nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1510pF @ 50V
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），8.3W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 9.3A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 系列：HEXFET?
- FET類型：N 溝道
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：9.3A（Ta），46A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 100μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：36nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1510pF @ 50V
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：18 毫歐 @ 9.3A，10V
- 封裝形式Package：PQFN
- 極性Polarity：N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：100V
- 連續(xù)漏極電流ID：25A
- 供應商器件封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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