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SUP36N20-54P-E3 PDF資料
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  • 制造商:Vishay Siliconix
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  • PDF文件頁數(shù):共6頁
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
SUP33N20-60P-E3技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • 晶體管極性:N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓:200 V
  • 閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
  • 漏極連續(xù)電流:33 A
  • 導(dǎo)通電阻:60 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220-3
  • 封裝:Tube
  • 商標(biāo):Vishay / Siliconix
  • 下降時間:9 ns
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 功率耗散:3.12 W
  • 上升時間:170 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 典型關(guān)閉延遲時間:26 ns
  • ROHS: 含鉛
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